Paměti FRAM (Ferroelectric RAM) představují moderní řešení pro uchování dat s možností jejich opakovaného zápisu a mazání. Díky ferroelectric technologii nabízejí vysokou rychlost čtení a zápisu, nízkou spotřebu energie a nevolatilní uchování dat i bez napájení. Oproti klasickým EEPROM nebo Flash pamětem poskytují vyšší odolnost vůči počtu cyklů zápisu a dlouhou životnost. Jsou dostupné v provedení s paralelním i sériovým rozhraním, a to jak v klasických pouzdrech s vývody, tak v kompaktním SMD balení.